Kitchenaid 30 outdoor island 4-burner gas grill

Kitchenaid outdoor gas grill

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Kitchenaid Grille-pain à fentes longues et contrôle manuel Rouge 5KMT4116EER Kitchenaid

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Vishay Condensateur céramique monocouche SLCC, Traversant, 10nF, 3kV c.c., diélectrique : Z5U, 564R30GAS10

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Silicon Labs Driver de puissance MOSFET, 4A, 6 broches SDIP Sans inversion Commande de grille isolée (5), Si8261AAD-C-IS

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Silicon Labs Driver de puissance MOSFET, 4A, 8 broches SOIC Sans inversion Commande de grille isolée (5), Si8261BBC-C-IS

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Silicon Labs Driver de puissance MOSFET, 4A, 8 broches SOIC Sans inversion Commande de grille isolée (96), SI8261BBC-C-IS

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Driver de puissance MOSFET, 4A, 8 broches SOIC Sans inversion Commande de grille isolée Nombre de drivers : 1 Tension d'alimentation de fonctionnement minimum : 5 V Tension d'alimentation fonctionnement maximum : 30 V Type de montage : CMS Nombre de sorties : 2 Dimensions : 4.8 x 3.8 x 1.5mm Longueur : 4.8mm

Silicon Labs Driver de puissance MOSFET, 4A, 6 broches SDIP Sans inversion Commande de grille isolée (5), Si8261BBD-C-IS

★ ★ ★ ★ ☆ 7,7/10

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Silicon Labs Driver de puissance MOSFET, 4A, 6 broches SDIP Sans inversion Commande de grille isolée (100), SI8261AAD-C-IS

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

Driver de puissance MOSFET, 4A, 6 broches SDIP Sans inversion Commande de grille isolée Nombre de drivers : 1 Tension d'alimentation de fonctionnement minimum : 5 V Tension d'alimentation fonctionnement maximum : 30 V Type de montage : CMS Dimensions : 4.58 x 11.5 x 2.05mm Longueur : 4.58mm Température

Silicon Labs Driver de puissance MOSFET, 4A, 8 broches SOIC Sans inversion Commande de grille isolée (96), SI8261BAC-C-IS

★ ★ ★ ★ ☆ 8,5/10

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Silicon Labs Driver de puissance MOSFET, 4A, 8 broches DIP Sans inversion Commande de grille isolée (50), SI8261ACC-C-IP

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Silicon Labs Driver de puissance MOSFET, 4A, 8 broches PDIP Sans inversion Commande de grille isolée (5), Si8261ABC-C-IP

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Silicon Labs Driver de puissance MOSFET, 4A, 8 broches DIP Sans inversion Commande de grille isolée (5), Si8261ACC-C-IP

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

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Silicon Labs Driver de puissance MOSFET, 4A, 6 broches SDIP Sans inversion Commande de grille isolée (5), Si8261BAD-C-IS

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Driver de puissance MOSFET, 4A, 6 broches SDIP Sans inversion Commande de grille isolée Nombre de drivers : 1 Tension d'alimentation de fonctionnement minimum : 5 V Tension d'alimentation fonctionnement maximum : 30 V Type de montage : CMS Dimensions : 4.58 x 11.5 x 2.05mm Longueur : 4.58mm Température

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Silicon Labs Driver de puissance MOSFET, 4A, 6 broches SDIP Sans inversion Commande de grille isolée (5), Si8261ABD-C-IS

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Silicon Labs Driver de puissance MOSFET, 4A, 8 broches PDIP Sans inversion Commande de grille isolée (50), SI8261BCC-C-IP

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

Driver de puissance MOSFET, 4A, 8 broches PDIP Sans inversion Commande de grille isolée Nombre de drivers : 1 Tension d'alimentation de fonctionnement minimum : 5 V Tension d'alimentation fonctionnement maximum : 30 V Type de montage : Traversant Nombre de sorties : 2 Dimensions : 9.9 x 6.6 x 3.43mm Longueur

KitchenAid Accessoire robot KITCHENAID 5KSMFVSFGA Hachoir + passoire pur robot artisan

★ ★ ★ ★ ☆ 8,5/10

Combiné Hachoir à viande + passoire à fruits et légumes - Compatible robot sur socle Artisan de Kitchenaid - 1 couteau auto-aiguisant à 4 lames - 2 grilles en acier inoxydable pour hâcher gros ou fin - 1 poussoir d'aliments - L' accessoire 5KSMFVSFGA de ki

Kitchenaid Hachoir 5KSMFGA Kitchenaid

★ ★ ★ ★ ☆ 7,6/10

Ce Hachoir 5KSMFGA est idéal pour hacher ou broyer la viande, les poissons, les légumes mais aussi le pain sec, les fruits à chair ferme et les fromages. Le hachoir KitchenAid est vendu avec deux grilles (fine 4,5 mm et épaisse 6mm), ainsi quune lame en acier inoxydable. Son poussoir facilite le hachage des

Kitchenaid Accessoire Hachoir et passoire 5KSMFVSFGA Kitchenaid

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

Ce Kit Accessoire Hachoir et passoire , comprend le hachoir, idéal pour hacher ou broyer vos viandes, poissons, légumes mais aussi le pain sec, les fruits à chair ferme et les fromages. Le hachoir KitchenAid est vendu avec deux grilles (fine 4,5 mm et épaisse 6mm), ainsi quune lame en acier inoxydable, et son

Figaro Gas sensor Ammonia, FECS44-1000

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

Gas sensor FECS44-1000 Ammonia Gaz détectés : Ammoniac Dimensions : 20.4 (Dia.) x 16.5mm Poids : 4.5g Température d'utilisation maximum : +50 °C Température de fonctionnement minimum : -30 °C Largeur : 20.4 (Dia.)mm, Figaro

Figaro Gas sensor Ammonia, FECS44-100

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

Gas sensor FECS44-100 Ammonia Gaz détectés : Ammoniac Dimensions : 20.4 (Dia.) x 16.5mm Poids : 4.5g Température d'utilisation maximum : +50 °C Température de fonctionnement minimum : -30 °C Largeur : 20.4 (Dia.)mm, Figaro

Figaro Gas sensor Sulfur Dioxide, FECS43-20

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

Gas sensor FECS43-20 Sulfur Dioxide Gaz détectés : dioxyde de soufre Dimensions : 20.4 (Dia.) x 16.5mm Poids : 4.5g Température d'utilisation maximum : +50 °C Température de fonctionnement minimum : -30 °C Largeur : 20.4 (Dia.)mm, Figaro

CERLAND Bâche hiver piscine bois Cerland octo 4.80 x 3.30 m

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

Cette couverture opaque supprime les effets néfastes des rayons solaires et lumineux vis à vis de l'eau. L'obscurité ainsi obtenue empêche le développement des algues et autres germes. Cette couverture d'hiver possède une grille d'évacuation centrale qui permet à l'eau de pluie de s'écouler dans le

Key Instruments Débitmètre, 30 l/min → 280 l/min raccord Femelle NPT 1/4, NL4A70BVBN

★ ★ ★ ★ ☆ 8,7/10

Débitmètre, Key Instruments 30 l/min → 280 l/min raccord Femelle NPT 1/4 Information contrôlée : Gas Type de mécanisme : Zone variable Plage de diamètre de tuyau : 1/4'' Pression maximum : 6.89bar Matériau : Acrylique Information température maximum : +65°C Série : FR4500, MPN: NL4A70BVBN

ROHM MOSFET, Canal-N, 4 A 30 V SC-96, SOT-346T, TSMT, 3 broches (50), RQ5E040TNTL

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

MOSFET, Canal-N, 4 A 30 V SC-96, SOT-346T, TSMT, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 66 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 1.5V Tension de seuil minimale de la grille : 0.5V Tension Grille Source maximum : ±12 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal :

Infineon IGBT, , Canal-N, 17 A 600 V A-220, 3 broches Simple, IRG4IBC30UDPBF

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

IGBT, IRG4IBC30UDPBF, Canal-N, 17 A 600 V A-220, 3 broches Simple Tension Grille Emetteur maximum : ±20V Type de montage : Traversant Longueur : 10.67mm Largeur : 4.83mm Hauteur : 9.02mm Dimensions : 10.67 x 4.83 x 9.02mm Température d'utilisation maximum : +150 °C Température de fonctionnement minimum : -55

Nexperia MOSFET, Canal-P, -2,4 A -30 V DFN1010D-3, SOT1215, 4 broches (5000), PMXB120EPEZ

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

MOSFET, Canal-P, -2,4 A -30 V DFN1010D-3, SOT1215, 4 broches Résistance Drain Source maximum : 187 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : -2.5V Tension de seuil minimale de la grille : -1V Tension Grille Source maximum : 20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal :

STMicroelectronics MOSFET, Canal-N, 6,5 A 30 V SOT-223, 3+Tab broches (4000), STN4NF03L

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

MOSFET, Canal-N, 6,5 A 30 V SOT-223, 3+Tab broches Résistance Drain Source maximum : 50 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 1V Tension Grille Source maximum : -16 V, +16 V Type de montage : CMS Nombre de broche : 3 + Tab Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie :

ROHM MOSFET, Canal-N, 4,5 A 30 V SC-95, SOT-457T, TSMT, 6 broches (50), RQ6E045SNTR

★ ★ ★ ★ ☆ 8,5/10

MOSFET, Canal-N, 4,5 A 30 V SC-95, SOT-457T, TSMT, 6 broches Résistance Drain Source maximum : 56 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 2.5V Tension de seuil minimale de la grille : 0.5V Tension Grille Source maximum : ±20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal :

DiodesZetex MOSFET, Canal-N, 4,6 A 30 V SOT-23, 3 broches (3000), ZXMN3F30FHTA

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

MOSFET, Canal-N, 4,6 A 30 V SOT-23, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 65 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance Dissipation de

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 1,4 A 30 V SOT-23, 3 broches (3000), FDN361BN

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

MOSFET, Canal-N, 1,4 A 30 V SOT-23, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 160 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 1V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance Dissipation de

Nexperia MOSFET, Canal-N, 3,2 A 30 V DFN1010D-3, SOT1215, 4 broches (5000), PMXB65ENEZ

★ ★ ★ ★ ☆ 7,6/10

MOSFET, Canal-N, 3,2 A 30 V DFN1010D-3, SOT1215, 4 broches Résistance Drain Source maximum : 107 MΩ Tension de seuil maximale de la grille : 2V Tension de seuil minimale de la grille : 1V Tension Grille Source maximum : 20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal :

Nexperia MOSFET, Canal-N, 91 A 30 V SOT-669, 4 broches (1500), PSMN5R0-30YL,115

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

MOSFET, Canal-N, 91 A 30 V SOT-669, 4 broches Résistance Drain Source maximum : 5 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 2.15V Tension de seuil minimale de la grille : 1.3V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

ROHM MOSFET, Canal-N, 4 A 30 V TSMT, 3 broches (50), RQ5E040AJTCL

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

MOSFET, Canal-N, 4 A 30 V TSMT, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 54 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 1.5V Tension de seuil minimale de la grille : 0.5V Tension Grille Source maximum : ±12 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie :

Infineon MOSFET, Canal-N, 46 A 700 V A-247, 4 broches (30), IPZ65R045C7XKSA1

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

MOSFET, Canal-N, 46 A 700 V A-247, 4 broches Résistance Drain Source maximum : 45 mΩ Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : Traversant Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance Dissipation de puissance maximum : 227 W Dimensions :

Vishay MOSFET, Canal-P, 4,7 A 30 V SOT-23 (TO-236), 3 broches (3000), SI2343CDS-T1-GE3

★ ★ ★ ★ ☆ 8,5/10

MOSFET, Canal-P, 4,7 A 30 V SOT-23 (TO-236), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 75 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 1.2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

Infineon IGBT, , Canal-N, 23 A 600 V TO-220AB, 3 broches Simple, IRG4BC30WPBF

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

IGBT, IRG4BC30WPBF, Canal-N, 23 A 600 V TO-220AB, 3 broches Simple Tension Grille Emetteur maximum : ±20V Type de montage : Traversant Longueur : 10.54mm Largeur : 4.69mm Hauteur : 8.77mm Dimensions : 10.54 x 4.69 x 8.77mm Température d'utilisation maximum : +150 °C Température de fonctionnement minimum : -55

Nexperia MOSFET, Canal-N, 100 A 30 V TO-220AB, 3 broches (1000), PSMN4R3-30PL,127

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-N, 100 A 30 V TO-220AB, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 4,3 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 2.15V Tension de seuil minimale de la grille : 1.3V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : Traversant Configuration du transistor : Simple Mode canal :

Infineon MOSFET, Canal-P, 2,4 A 30 V Micro6, 6 broches (3000), IRLMS5703TRPBF

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

MOSFET, Canal-P, 2,4 A 30 V Micro6, 6 broches Résistance Drain Source maximum : 325 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 1V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance Dissipation de

Infineon IGBT, , Canal-N, 17 A 600 V A-220, 3 broches Simple (50), IRG4IBC30UDPBF

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

IGBT, IRG4IBC30UDPBF, Canal-N, 17 A 600 V A-220, 3 broches Simple Tension Grille Emetteur maximum : ±20V Type de montage : Traversant Longueur : 10.67mm Largeur : 4.83mm Hauteur : 9.02mm Dimensions : 10.67 x 4.83 x 9.02mm Température d'utilisation maximum : +150 °C Température de fonctionnement minimum : -55

Infineon IGBT, , Canal-N, 28 A 600 V TO-247AC, 3 broches Simple (25), IRG4PC30KDPBF

★ ★ ★ ★ ☆ 8,7/10

IGBT, IRG4PC30KDPBF, Canal-N, 28 A 600 V TO-247AC, 3 broches Simple Tension Grille Emetteur maximum : ±20V Type de montage : Traversant Longueur : 15.9mm Largeur : 5.3mm Hauteur : 20.3mm Dimensions : 15.9 x 5.3 x 20.3mm Température d'utilisation maximum : +150 °C Température de fonctionnement minimum : -55 °C

STMicroelectronics MOSFET, Canal-N, 70 A 30 V D2PAK (TO-263), 3 broches (1000), STB70NF3LLT4

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

MOSFET, Canal-N, 70 A 30 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 12 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 1V Tension Grille Source maximum : -16 V, +16 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

DiodesZetex MOSFET, Canal-N, 1,4 A 30 V SOT-23, 3 broches (3000), ZXM61N03FTA

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

MOSFET, Canal-N, 1,4 A 30 V SOT-23, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 300 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 1V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : Petit signaux Dissipation de

Texas Instruments MOSFET, Canal-N, 1,5 A 30 V PICOSTAR, 3 broches (250), CSD17483F4T

★ ★ ★ ★ ☆ 8,5/10

MOSFET, Canal-N, 1,5 A 30 V PICOSTAR, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 550 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 1.1V Tension de seuil minimale de la grille : 0.65V Tension Grille Source maximum : -12 V, +12 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal :

Nexperia MOSFET, Canal-N, 37 A 30 V SOT-669, 4 broches (1500), PSMN011-30YLC,115

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

MOSFET, Canal-N, 37 A 30 V SOT-669, 4 broches Résistance Drain Source maximum : 14,5 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 1.95V Tension de seuil minimale de la grille : 1.05V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal :

DiodesZetex MOSFET, Canal-P, 300 mA 30 V SOT-23, 3 broches (50), DMP32D4S-7

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

MOSFET, Canal-P, 300 mA 30 V SOT-23, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 4 Ω Tension de seuil maximale de la grille : 2.4V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Dissipation de puissance maximum : 540 mW

Infineon IGBT, , Canal-N, 23 A 600 V D2PAK (TO-263) 30 → 150kHz, 3 broches Simple (5), IRG4BC30W-SPBF

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

IGBT, IRG4BC30W-SPBF, Canal-N, 23 A 600 V D2PAK (TO-263) 30 → 150kHz, 3 broches Simple Tension Grille Emetteur maximum : ±20V Dissipation de puissance maximum : 100 W Type de montage : CMS Longueur : 10.67mm Largeur : 9.65mm Hauteur : 4.83mm Dimensions : 10.67 x 9.65 x 4.83mm Température d'utilisation maximum

Infineon MOSFET, Canal-N, 1,4 A 30 V SOT-23, 3 broches, BSS316NH6327XTSA1

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-N, 1,4 A 30 V SOT-23, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 280 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 2V Tension de seuil minimale de la grille : 1.2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

Infineon IGBT, , Canal-N, 40 A 600 V TO-247AC 8 → 30kHz, 3 broches Simple (25), IRG4PC40UD-EPBF

★ ★ ★ ★ ☆ 8,6/10

IGBT, IRG4PC40UD-EPBF, Canal-N, 40 A 600 V TO-247AC 8 → 30kHz, 3 broches Simple Tension Grille Emetteur maximum : ±20V Dissipation de puissance maximum : 160 W Type de montage : Traversant Longueur : 15.9mm Largeur : 5.3mm Hauteur : 20.3mm Dimensions : 15.9 x 5.3 x 20.3mm Température d'utilisation maximum :

Infineon IGBT, , Canal-N, 31 A 600 V TO-220AB 1 → 8kHz, 3 broches Simple (2), IRG4BC30FD1PBF

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

IGBT, IRG4BC30FD1PBF, Canal-N, 31 A 600 V TO-220AB 1 → 8kHz, 3 broches Simple Tension Grille Emetteur maximum : ±20V Dissipation de puissance maximum : 100 W Type de montage : Traversant Longueur : 10.54mm Largeur : 4.69mm Hauteur : 15.24mm Dimensions : 10.54 x 4.69 x 15.24mm Température d'utilisation maximum

Panasonic MOSFET, Canal-N, 39 A 30 V HSO8-F4-B, 8 broches (10), SK8603180L

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

MOSFET, Canal-N, 39 A 30 V HSO8-F4-B, 8 broches Résistance Drain Source maximum : 6,7 MΩ Tension de seuil maximale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Dissipation de puissance maximum : 19 W

ROHM MOSFET, Canal-N, 4 A 30 V TSMT, 3 broches (3000), RQ5E040AJTCL

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

MOSFET, Canal-N, 4 A 30 V TSMT, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 54 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 1.5V Tension de seuil minimale de la grille : 0.5V Tension Grille Source maximum : ±12 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie :

Infineon IGBT, , Canal-N, 23 A 600 V TO-220AB, 3 broches Simple (50), IRG4BC30UPBF

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

IGBT, IRG4BC30UPBF, Canal-N, 23 A 600 V TO-220AB, 3 broches Simple Tension Grille Emetteur maximum : ±20V Type de montage : Traversant Longueur : 10.54mm Largeur : 4.69mm Hauteur : 8.77mm Dimensions : 10.54 x 4.69 x 8.77mm Température d'utilisation maximum : +150 °C Température de fonctionnement minimum : -55

Infineon IGBT, , Canal-N, 40 A 600 V D2PAK (TO-263) 30 → 150kHz, 3 broches Simple (5), IRG4BC40W-SPBF

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

IGBT, IRG4BC40W-SPBF, Canal-N, 40 A 600 V D2PAK (TO-263) 30 → 150kHz, 3 broches Simple Tension Grille Emetteur maximum : ±20V Dissipation de puissance maximum : 160 W Type de montage : CMS Longueur : 10.67mm Largeur : 9.65mm Hauteur : 4.83mm Dimensions : 10.67 x 9.65 x 4.83mm Température d'utilisation maximum

Infineon IGBT, , Canal-N, 23 A 600 V TO-220AB, 3 broches Simple (50), IRG4BC30WPBF

★ ★ ★ ★ ☆ 7,7/10

IGBT, IRG4BC30WPBF, Canal-N, 23 A 600 V TO-220AB, 3 broches Simple Tension Grille Emetteur maximum : ±20V Type de montage : Traversant Longueur : 10.54mm Largeur : 4.69mm Hauteur : 8.77mm Dimensions : 10.54 x 4.69 x 8.77mm Température d'utilisation maximum : +150 °C Température de fonctionnement minimum : -55

Infineon IGBT, , Canal-N, 34 A 600 V TO-220AB 1kHz, 3 broches Simple (5), IRG4BC30SPBF

★ ★ ★ ★ ☆ 7,7/10

IGBT, IRG4BC30SPBF, Canal-N, 34 A 600 V TO-220AB 1kHz, 3 broches Simple Tension Grille Emetteur maximum : ±20V Dissipation de puissance maximum : 100 W Type de montage : Traversant Longueur : 10.54mm Largeur : 4.69mm Hauteur : 15.24mm Dimensions : 10.54 x 4.69 x 15.24mm Température d'utilisation maximum :

Nexperia MOSFET, Canal-N, 5,4 A 20 V TO-236AB, 3 broches (3000), PMV30UN2R

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

MOSFET, Canal-N, 5,4 A 20 V TO-236AB, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 100 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 0.9V Tension de seuil minimale de la grille : 0.4V Tension Grille Source maximum : 12 Mo Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

ON Semiconductor MOSFET, Canal-P, 3,4 A 30 V SOIC, 8 broches (2500), FDS9400A

★ ★ ★ ★ ☆ 7,5/10

MOSFET, Canal-P, 3,4 A 30 V SOIC, 8 broches Résistance Drain Source maximum : 210 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 1V Tension Grille Source maximum : -25 V, +25 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Dissipation de puissance maximum : 2,5 W

STMicroelectronics IGBT, , Canal-N, 30 A 420 V DPAK (TO-252) 1MHz, 3 broches Simple (5), STGD18N40LZT4

★ ★ ★ ★ ☆ 8,5/10

IGBT, STGD18N40LZT4, Canal-N, 30 A 420 V DPAK (TO-252) 1MHz, 3 broches Simple Tension Grille Emetteur maximum : 16V Dissipation de puissance maximum : 125 W Type de montage : CMS Longueur : 6.6mm Largeur : 6.2mm Hauteur : 2.4mm Dimensions : 6.6 x 6.2 x 2.4mm Température d'utilisation maximum : +175 °C,

Infineon IGBT, , Canal-N, 11 A 600 V I2PAK (TO-262) 8 → 30kHz, 3 broches Simple (50), IRGSL4B60KD1PBF

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

IGBT, IRGSL4B60KD1PBF, Canal-N, 11 A 600 V I2PAK (TO-262) 8 → 30kHz, 3 broches Simple Tension Grille Emetteur maximum : ±20V Dissipation de puissance maximum : 63 W Type de montage : Traversant Longueur : 10.67mm Largeur : 4.83mm Hauteur : 11.3mm Dimensions : 10.67 x 4.83 x 11.3mm Température d'utilisation

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 95 A 30 V DPAK (TO-252), 3 broches (2500), NTD4805NT4G

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

MOSFET, Canal-N, 95 A 30 V DPAK (TO-252), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 7,4 MΩ Tension de seuil maximale de la grille : 2.5V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

IXYS IGBT, , Canal-N, 165 A 1200 V SOT-227B 5 → 30kHz, 4 broches Simple, IXYN100N120B3H1

★ ★ ★ ★ ☆ 7,7/10

IGBT, IXYN100N120B3H1, Canal-N, 165 A 1200 V SOT-227B 5 → 30kHz, 4 broches Simple Tension Grille Emetteur maximum : ±20V Dissipation de puissance maximum : 690 W Type de montage : CMS Longueur : 38.23mm Largeur : 25.07mm Hauteur : 9.6mm Dimensions : 38.23 x 25.07 x 9.6mm Température d'utilisation maximum :

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 4 A 30 V MCPH3, 3 broches (3000), MCH3474-TL-W

★ ★ ★ ★ ☆ 8,7/10

MOSFET, Canal-N, 4 A 30 V MCPH3, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 130 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 1.3V Tension de seuil minimale de la grille : 0.4V Tension Grille Source maximum : -12 V, +12 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

Infineon IGBT, , Canal-N, 55 A 600 V TO-247AC 8 → 30kHz, 3 broches Simple (2), IRG4PC50UD-EPBF

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

IGBT, IRG4PC50UD-EPBF, Canal-N, 55 A 600 V TO-247AC 8 → 30kHz, 3 broches Simple Tension Grille Emetteur maximum : ±20V Dissipation de puissance maximum : 200 W Type de montage : Traversant Longueur : 15.87mm Largeur : 5.31mm Hauteur : 20.7mm Dimensions : 15.87 x 5.31 x 20.7mm Température d'utilisation maximum

Vishay MOSFET, N/P-Channel 6,4 A, 12 A 8 V, 30 V SOIC, 8 broches (20), SI4501BDY-T1-GE3

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

MOSFET, N/P-Channel 6,4 A, 12 A 8 V, 30 V SOIC, 8 broches Résistance Drain Source maximum : 20 mΩ, 37 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 0.45V Tension Grille Source maximum : -20 V, -8 V, +20 V, +8 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Drain commun Mode canal : Enrichissement

ROHM MOSFET, Canal-N, 30 A 600 V A-247, 3 broches (2), R6030ENZ4C13

★ ★ ★ ★ ☆ 7,5/10

MOSFET, Canal-N, 30 A 600 V A-247, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 130 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : ±30 V Type de montage : Traversant Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

DiodesZetex MOSFET, Canal-P, 500 mA 30 V X1-DFN1006, 3 broches (10000), DMP32D4SFB-7B

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

MOSFET, Canal-P, 500 mA 30 V X1-DFN1006, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 16 Ω Tension de seuil maximale de la grille : 2.4V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Dissipation de puissance maximum : 1,2 W